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在上月的 IEEE VLSI Symposium 会议期间，英特尔声称其已做好了缩小半导体制程节点的准备。而用上了 EUV 极紫外光刻的 Intel 4（7nm）工艺后，蓝厂得以让芯片在消耗相同或更少功率的情况下提升 20% 以上的性能、或在相同频率下获得大约 40% 的优势。

与英特尔之前的 Intel 7（10nm）ESF 技术节点相比，Intel 4（7nm）工艺不仅将晶体管密度提升了两倍、还能够达成更强劲的表现。

此前该公司在从 14nm 向 10nm 工艺转进的过程中消耗了相当长的时间，但在拖延了数年之后，DigiTimes 称其将进一步加速。

报道指出，Intel 3 工艺将于 2023 下半年开始增加产能，并带来相较于 Intel 4 工艺达 18% 的性能提升。

据悉，新 Intel 4 节点将为 14 代 Meteor Lake 消费级 Core 产品线、以及企业级的 Granite Rapids 至强 CPU 提供支撑。

虽然作为 12 代 Alder Lake 芯片的继任者，我们距离 13 代 Raptor Lake 的发布还有较长的一段时间。

但若能稳定延续既定的目标，蓝厂将不会在 AMD 的步步紧逼下，持续让合作伙伴和广大客户感到失望。

此外英特尔有计划在量产版的 Meteor Lake 处理器上率先引入小芯片设计，辅以灵活的 Tile 架构 + Foveros 3D 封装。

与此同时，竞争对手 AMD 会用上台积电的 N5 / N4 工艺，并继续在集成了 RDNA 核显的 APU 产品线上发力。

不过在此之前，我们还是更加期待 13 代酷睿和锐龙 7000 系列 Zen 4 处理器的市场表现。

本文到此结束，希望对大家有所帮助。